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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
40
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.1
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
34
读取速度,GB/s
12.3
13.1
写入速度,GB/s
8.9
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2200
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
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