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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
99
左右 60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
99
读取速度,GB/s
12.3
14.4
写入速度,GB/s
8.9
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1386
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB RAM的比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
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