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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 -14% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
35
读取速度,GB/s
12.3
9.1
写入速度,GB/s
8.9
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2229
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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