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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
33
读取速度,GB/s
12.3
17.1
写入速度,GB/s
8.9
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3110
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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