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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
43
读取速度,GB/s
10.6
14.7
写入速度,GB/s
6.8
8.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2250
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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