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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
33
读取速度,GB/s
10.6
17.0
写入速度,GB/s
6.8
14.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3422
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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