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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
38
读取速度,GB/s
10.6
14.7
写入速度,GB/s
6.8
11.4
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2919
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
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