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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
34
读取速度,GB/s
10.6
14.8
写入速度,GB/s
6.8
11.3
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2826
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
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