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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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更快的读取速度,GB/s
14.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
30
读取速度,GB/s
10.6
14.2
写入速度,GB/s
6.8
9.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2402
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
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