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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Maxsun MSD48G30Q3 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
68
左右 56% 更低的延时
需要考虑的原因
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
68
读取速度,GB/s
10.6
15.5
写入速度,GB/s
6.8
8.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
1925
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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