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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
25
读取速度,GB/s
10.6
14.3
写入速度,GB/s
6.8
10.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2583
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
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