RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2583
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link