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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
70
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
70
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2519
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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