Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    58 left arrow 70
    Wokół strony 17% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 15
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,107.0 left arrow 14.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 6400
    Wokół strony 4 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    58 left arrow 70
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,025.3 left arrow 15.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,107.0 left arrow 14.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    670 left arrow 2519
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania