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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
70
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2519
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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