RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
21
读取速度,GB/s
10.6
16.2
写入速度,GB/s
6.8
7.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2337
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link