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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
29
读取速度,GB/s
11.1
19.0
写入速度,GB/s
8.2
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
3695
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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