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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
41
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
21
读取速度,GB/s
11.1
18.6
写入速度,GB/s
8.2
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1348
3255
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-036.B00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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