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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
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更快的读取速度,GB/s
14.8
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
38
读取速度,GB/s
7.2
14.8
写入速度,GB/s
3.0
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
3094
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
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