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Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
比较
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
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需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.3
5.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
5.7
11.3
写入速度,GB/s
3.0
8.2
内存带宽,mbps
8500
12800
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
609
1793
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB RAM的比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
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