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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
总分
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
54
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
54
读取速度,GB/s
11.0
10.9
写入速度,GB/s
7.2
9.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1393
2176
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Lenovo 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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