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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
12.2
19.0
写入速度,GB/s
7.8
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1763
3655
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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