RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
12.2
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
3655
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link