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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.2
1,711.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
4,018.7
21.8
写入速度,GB/s
1,711.1
17.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
3788
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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