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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
比较
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
总分
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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更快的读取速度,GB/s
18
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
12.2
18.0
写入速度,GB/s
7.8
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1763
3429
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
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