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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
12.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1763
3429
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
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