RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3429
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link