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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
46
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
34
读取速度,GB/s
14.2
15.7
写入速度,GB/s
13.6
11.6
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2776
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
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