RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
34
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
13.6
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2776
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link