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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
53
左右 13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
53
读取速度,GB/s
14.2
14.9
写入速度,GB/s
13.6
13.5
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2643
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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