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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
21300
左右 1.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
14.2
16.2
写入速度,GB/s
13.6
12.5
内存带宽,mbps
21300
23400
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3360
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
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