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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
37
读取速度,GB/s
14.9
16.1
写入速度,GB/s
10.6
12.7
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2848
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
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