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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
14.2
10.9
写入速度,GB/s
13.6
10.0
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2587
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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