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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
14.2
16.4
写入速度,GB/s
13.6
12.6
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3046
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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