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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
77
左右 -126% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
34
读取速度,GB/s
2,936.9
18.4
写入速度,GB/s
1,884.0
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3447
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB RAM的比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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