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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
77
左右 -28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
60
读取速度,GB/s
2,936.9
17.3
写入速度,GB/s
1,884.0
8.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2129
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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