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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
77
左右 -235% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
23
读取速度,GB/s
2,936.9
16.8
写入速度,GB/s
1,884.0
11.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2851
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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