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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
2,936.9
16.1
写入速度,GB/s
1,884.0
14.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3416
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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