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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
77
左右 -40% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
55
读取速度,GB/s
2,936.9
15.1
写入速度,GB/s
1,884.0
14.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2665
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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