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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
2,936.9
17.0
写入速度,GB/s
1,884.0
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3234
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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