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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
2,936.9
14.4
写入速度,GB/s
1,884.0
7.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2690
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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