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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston 9905624-046.A00G 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
77
左右 -250% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
22
读取速度,GB/s
2,936.9
17.8
写入速度,GB/s
1,884.0
13.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3132
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Inmos + 256MB
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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