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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston 9905663-012.A00G 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
77
左右 -221% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
24
读取速度,GB/s
2,936.9
15.0
写入速度,GB/s
1,884.0
9.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2530
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
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