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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston KVR24N17S8/4 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
77
左右 -267% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
21
读取速度,GB/s
2,936.9
15.4
写入速度,GB/s
1,884.0
7.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2073
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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