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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
50
77
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
5
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
1,905.1
1,884.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
77
50
读取速度,GB/s
2,936.9
5,143.3
写入速度,GB/s
1,884.0
1,905.1
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
855
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
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