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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
比较
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
总分
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
36
读取速度,GB/s
14.7
15.1
写入速度,GB/s
10.6
11.5
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2438
2814
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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