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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
比较
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
34
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
33
读取速度,GB/s
15.4
17.8
写入速度,GB/s
11.6
12.5
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2786
3285
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB RAM的比较
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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