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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

总分
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

总分
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 34
    左右 -21% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 15.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.7 left arrow 11.6
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    34 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    11.6 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2786 left arrow 3007

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB RAM的比较

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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