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SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
比较
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
总分
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
44
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
44
读取速度,GB/s
13.9
16.6
写入速度,GB/s
9.6
14.2
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2461
3146
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAM的比较
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
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