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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
AMD R744G2400U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
36
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
22
读取速度,GB/s
15.0
16.7
写入速度,GB/s
10.1
11.6
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
2862
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology ADOPE1B163B2 2GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
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